所属单位：新一代半导体材料研究院
论文名称：The surge current failure and thermal analysis of 4H-SiC Schottky Barrier Diode
发表刊物：IEEE Transactions on Electron Devices
第一作者：张斌
论文编号：B1BC604AAB9442D8AE18D256B1AA3FCF
期号：1
字数：4
是否译文：否
发表时间：2024-04-09
发表时间：2024-04-09