教师姓名：韩吉胜
教师拼音名称：hanjisheng
入职时间：2020-11-15
所在单位：新一代半导体材料研究院
性别：男
所属单位：新一代半导体材料研究院 论文名称：Influence of post fabrication annealing on device performance of InAlN/GaN high electron mobility transistors 发表刊物：Journal of Physics and Chemistry of Solids 第一作者：罗鑫 论文编号：1747462737015623682 卷号：187 字数：4000 是否译文：否 发表时间：2024-04-01 发表时间：2024-04-01
