所属单位：新一代半导体材料研究院
论文名称：Multi-Step junction termination extension design and simulation study for 4H-SiC Schottky barrier diode
发表刊物：物理结果
第一作者：Wang, Xinyu
论文编号：1806576901185818626
卷号：62
字数：5000
是否译文：否
发表时间：2024-07-01
发表时间：2024-07-01