所属单位：新一代半导体材料研究院
论文名称：High Breakdown Voltage P-GaN Gate HEMTs With Threshold Voltage of 7.1 V
发表刊物：IEEE Electron Device Letters
第一作者：陈思衡
论文编号：CFFF4E6B36CF438F85A95FA554A9E105
卷号：12
期号：45
页面范围：2343
字数：3000
是否译文：否
发表时间：2024-12-01
发表时间：2024-12-01