所属单位：新一代半导体材料研究院
论文名称：Impacts of silicon carbide defects on electrical characteristics of SiC devices
发表刊物：JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
第一作者：来玲玲
论文编号：D5742555117F4661AA6914F43C395CBC
期号：060701
字数：5000
是否译文：否
发表时间：2025-02-10
发表时间：2025-02-10