教师姓名：韩吉胜
教师拼音名称：hanjisheng
入职时间：2020-11-15
所在单位：新一代半导体材料研究院
性别：男
所属单位：新一代半导体材料研究院
论文名称：Failure Phenomenon of 4H-SiC Schottky Barrier Diode Under Thermal Shock Reliability Test
发表刊物：2024 21st China International Forum on Solid State Lighting & 2024 10th International Forum on Wide Bandgap Semiconductors (SSLCHINA: IFWS)
第一作者：曾繁朋
论文编号：269EBC8BD4C5473D8AA0C7CCC9FFB067
字数：5000
是否译文：否
发表时间：2024-11