教师姓名：韩吉胜
教师拼音名称：hanjisheng
入职时间：2020-11-15
所在单位：新一代半导体材料研究院
性别：男
所属单位：新一代半导体材料研究院 论文名称：Failure Phenomenon of 4H-SiC Schottky Barrier Diode Under Thermal Shock Reliability Test 第一作者：曾繁朋 论文编号：269EBC8BD4C5473D8AA0C7CCC9FFB067 字数：5000 是否译文：否 发表时间：2024-11-18 发表时间：2024-11-18
