所属单位：新一代半导体材料研究院
论文名称：Multiple P-Type SiC Micro-Island with Multi-Step as Termination for 4H-SiC Schottky Barrier Diode
第一作者：王新宇
论文编号：99EBB9F885AB4FE0A19772F7E975E724
是否译文：否
发表时间：2024-11-18
发表时间：2024-11-18