教师姓名：韩吉胜
教师拼音名称：hanjisheng
入职时间：2020-11-15
所在单位：新一代半导体材料研究院
性别：男
所属单位：新一代半导体材料研究院 论文名称：failure mechanism of 1.2 kV/20 A 4H-SiC Schottky barrier diodes under humidity and high reverse bias voltage 发表刊物：MICROELECTRONICS RELIABILITY 第一作者：曾繁朋 论文编号：1904D09074C44E0291C78B6CC255088B 期号：168 页面范围：1 字数：6000 是否译文：否 发表时间：2025-03-06 发表时间：2025-03-06
