教师姓名：韩吉胜
教师拼音名称：hanjisheng
入职时间：2020-11-15
所在单位：新一代半导体材料研究院
性别：男
所属单位：新一代半导体材料研究院 论文名称：Simulation and fabrication of 4H-SiC SBD with main P-epilayer island termination 发表刊物：MICROELECTRONICS JOURNAL 第一作者：王新宇 论文编号：B553EB6CF2E14F2F938DCAF7AB87DCE3 期号：161 页面范围：106732 字数：5000 是否译文：否 发表时间：2025-05-13 发表时间：2025-05-13
