教师姓名：韩吉胜
教师拼音名称：hanjisheng
入职时间：2020-11-15
所在单位：新一代半导体材料研究院
性别：男
所属单位：新一代半导体材料研究院 论文名称：The Principles and Applications of Electrical Characterization Techniques for Electrically Active Defects in 4H-SiC Devices 发表刊物：Physica Status Solidi A-Applications and Materials Science 第一作者：罗兰 论文编号：1906642867614052353 字数：8 是否译文：否 发表时间：2025-01-01 发表时间：2025-01-01
