教师姓名:韩吉胜 教师拼音名称:hanjisheng 入职时间:2020-11-15 所在单位:新一代半导体材料研究院 性别:男
所属单位:新一代半导体材料研究院 专利类型:发明 申请号:202311157957.2 发明人数:4 是否职务专利:否 申请日期:2023-09-08 公开日期:2024-04-05 授权日期:2024-04-05 申请日期: 2023-09-08 公开日期: 2024-04-05 授权日期: 2024-04-05
上一条:提高InAlN/GaN高电子迁移率晶体管电学性能的方法
下一条:一种版图结构、半导体器件和其制造方法