教师姓名：韩吉胜 教师拼音名称：hanjisheng 入职时间：2020-11-15 所在单位：新一代半导体材料研究院 性别：男
所属单位：新一代半导体材料研究院
专利类型：发明
申请号：202111558290.8
发明人数：4
是否职务专利：否
申请日期：2021-12-20
公开日期：2024-02-02
授权日期：2024-02-02
上一条：一种确定GaN晶体管纳米尺寸栅长二维电子气面密度的方法
下一条：一种SiC MOSFET各部分栅电容及器件沟道电容的精确提取方法
