韩吉胜


教师姓名:韩吉胜
教师拼音名称:hanjisheng
入职时间:2020-11-15
所在单位:新一代半导体材料研究院
性别:男

专利

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一种基于ScAlN介质层的InAlN/GaN MIS-HEMT及其制备方法

发布时间:2024-05-31 点击次数:

所属单位:新一代半导体材料研究院
专利类型:发明
申请号:202210196597.6
发明人数:8
是否职务专利:
申请日期:2022-03-02
公开日期:2024-05-28
授权日期:2024-05-28
申请日期: 2022-03-02
公开日期: 2024-05-28
授权日期: 2024-05-28