教师姓名：韩吉胜 入职时间：2020-11 所在单位：新一代半导体材料研究院 性别：男
所属单位：新一代半导体材料研究院
专利类型：发明
申请号：202410324492.3
发明人数：4
是否职务专利：否
申请日期：2024-03-21
公开日期：2024-05-31
授权日期：2024-05-31
上一条：一种GaN HEMTs及降低器件欧姆接触阻值的方法
下一条：一种基于ScAlN介质层的InAlN/GaN MIS-HEMT及其制备方法
