教师姓名:韩吉胜 教师拼音名称:hanjisheng 入职时间:2020-11-15 所在单位:新一代半导体材料研究院 性别:男
所属单位:新一代半导体材料研究院 专利类型:发明 申请号:202410324492.3 发明人数:4 是否职务专利:否 申请日期:2024-03-21 公开日期:2024-05-31 授权日期:2024-05-31 申请日期: 2024-03-21 公开日期: 2024-05-31 授权日期: 2024-05-31
上一条:一种GaN HEMTs及降低器件欧姆接触阻值的方法
下一条:一种基于ScAlN介质层的InAlN/GaN MIS-HEMT及其制备方法