教师姓名:韩吉胜 教师拼音名称:hanjisheng 入职时间:2020-11-15 所在单位:新一代半导体材料研究院 性别:男
所属单位:新一代半导体材料研究院
专利类型:发明
申请号:202410508307.6
发明人数:4
是否职务专利:否
申请日期:2024-04-26
公开日期:2024-07-12
授权日期:2024-07-12
上一条:一种碳化硅器件双层金属的刻蚀方法
下一条:一种增强型GaN HEMT器件结构和制造方法