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冀子武
教授
博士生导师 硕士生导师
电子邮箱:jiziwu@sdu.edu.cn
论文成果
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Porosity-induced relaxation of strains at different depth of nanoporous GaN stuided using the Z-scan of Raman spectroscopy
所属单位:
微电子学院
发表刊物:
Journal of Luminescence
第一作者:
冀子武
论文编号:
767B382B05AF4D0E81F1329271E2A172
期号:
1
字数:
4000
是否译文:
否
发表时间:
2022-02-10
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