Effect of low-temperature interlayer in active-region upon photoluminescence in multiple-quantum-well InGaN/GaN
发布时间：2022-05-26
点击次数：
- 所属单位：
- 微电子学院
- 发表刊物：
- Journal of Luminescence
- 第一作者：
- 冀子武
- 论文编号：
- 767B382B05AF4D0E81F1329271E2A172
- 期号：
- 1
- 字数：
- 4000
- 是否译文：
- 否
- 发表时间：
- 2022-02-10