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冀子武
教授
博士生导师 硕士生导师
电子邮箱:jiziwu@sdu.edu.cn
论文成果
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Electron tunneling effects on radiative recombination in modulation n-doped ZnSe/BeTe type II quantum wells
所属单位:
集成电路学院
发表刊物:
Journal of Physics: Conference Series
论文编号:
4F9A59CCAAA14192AFC1BB09DCDD0547
卷号:
2645
期号:
012005
页面范围:
1
字数:
2178
是否译文:
否
发表时间:
2023-12-15
上一条:
Intrinsic relationship between photoluminescence and electrical characteristics in modulation Fe-doped AlGaN/GaN HEMTs
下一条:
Porosity-induced relaxation of strains at different depth of nanoporous GaN stuided using the Z-scan of Raman spectroscopy
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