Influence of the side-Ohmic contact processing on the polarization Coulomb field scattering in AlGaN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors
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所属单位：物理学院
发表刊物：Applied physics letters
全部作者：孟令国
第一作者：林兆军
论文类型：基础研究
论文编号：lw-137957
卷号：101
页面范围：113501
是否译文：否
发表时间：2012-09-10
发表时间：2012-09-10
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