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？？Effect of Polarization Coulomb Field Scattering on Parasitic Source Access Resistance and Extrinsic Transconductance in AlGaN/GaN Heterostructure FETs

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所属单位：微电子学院

发表刊物：？IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES

论文类型：应用研究

论文编号：lw-183656

卷号：63

期号：4

是否译文：否

发表时间：2016-03-03

上一条：？The Role of Polarization Coulomb Field Scattering in the Electron Mobility of AlGaN/AlN/GaN Heterostructure Field-effect Transistors

下一条： Influence of the side-Ohmic contact processing on the polarization Coulomb field scattering in AlGaN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors

林兆军 (教授)