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林兆军
教授
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论文成果
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?The Role of Polarization Coulomb Field Scattering in the Electron Mobility of AlGaN/AlN/GaN Heterostructure Field-effect Transistors
所属单位:
微电子学院
发表刊物:
?Journal of the Korean Physical Society
论文类型:
应用研究
论文编号:
lw-183657
卷号:
68
期号:
7
是否译文:
否
发表时间:
2016-04-12
上一条:
?Study of source access resistance at direct current quiescent points for AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistor
下一条:
??Effect of Polarization Coulomb Field Scattering on Parasitic Source Access Resistance and Extrinsic Transconductance in AlGaN/GaN Heterostructure FETs
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