Effects of post-annealed floating gate on the performance of AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistors
发布时间：2019-04-14
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- 所属单位：
- 微电子学院
- 发表刊物：
- Chinese Physics B
- 全部作者：
- 林兆军
- 第一作者：
- 崔鹏
- 论文类型：
- 综合研究
- 论文编号：
- B77CB16F9B4B4F9ABB3EBB10DEAE1AD4
- 卷号：
- 26
- 期号：
- 12
- 是否译文：
- 否
- 发表时间：
- 2017-12-01