The relationship between AlGaN barrier layer thickness and polarization Coulomb field scattering in AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistors
发布时间：2021-12-08
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- 所属单位：
- 集成电路学院
- 发表刊物：
- Superlattices and Microstructures
- 第一作者：
- 姜光远
- 论文编号：
- 5E482A189F6B44C8995A6AD6C969E16D
- 卷号：
- 156
- 是否译文：
- 否
- 发表时间：
- 2021-08-01