A novel AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistor based on open-gate technology
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所属单位：微电子学院
发表刊物：SCIENTIFIC REPORTS
第一作者：刘阳
论文类型：基础研究
论文编号：9E5379E96DF4444ABA017B4CD9E0DCD7
卷号：11
期号：1
是否译文：否
发表时间：2021-11-17
发表时间：2021-11-17
上一条： The influence of polarization Coulomb field scattering on the parasitic source resistance of E-mode P-GaN/AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistors
下一条： The relationship between AlGaN barrier layer thickness and polarization Coulomb field scattering in AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistors