A novel AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistor based on open-gate technology
发布时间：2021-12-09
点击次数：
- 所属单位：
- 微电子学院
- 发表刊物：
- SCIENTIFIC REPORTS
- 第一作者：
- 刘阳
- 论文类型：
- 基础研究
- 论文编号：
- 9E5379E96DF4444ABA017B4CD9E0DCD7
- 卷号：
- 11
- 期号：
- 1
- 是否译文：
- 否
- 发表时间：
- 2021-11-17
- 上一条：The influence of polarization Coulomb field scattering on the parasitic source resistance of E-mode P-GaN/AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistors
- 下一条：The relationship between AlGaN barrier layer thickness and polarization Coulomb field scattering in AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistors