A novel AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistor based on open-gate technology
发布时间：2021-12-09
点击次数：
- 所属单位：
- 集成电路学院
- 论文名称：
- A novel AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistor based on open-gate technology
- 发表刊物：
- Scientific Reports
- 第一作者：
- 刘阳
- 论文编号：
- 9E5379E96DF4444ABA017B4CD9E0DCD7
- 卷号：
- 11
- 期号：
- 1
- 是否译文：
- 否
- 发表时间：
- 2021-11
- 发布时间：
- 2021-12-09
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