The influence of polarization Coulomb field scattering on the parasitic source resistance of E-mode P-GaN/AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistors
发布时间：2021-12-09
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- 所属单位：
- 集成电路学院
- 发表刊物：
- Applied Physics A: Materials Science and Processing
- 第一作者：
- 姜光远
- 论文编号：
- 8E2B42A7A9A340699B997751BCA7C3E7
- 卷号：
- 127
- 期号：
- 6
- 是否译文：
- 否
- 发表时间：
- 2021-05-27