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Study of electrical transport properties of GaN-based side-gate heterostructure transistors

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所属单位：微电子学院

发表刊物：Applied Physics Letters

第一作者：周衡

论文编号：F21FE017C09E49068D2EF4356497F757

期号：21

字数：3

是否译文：否

发表时间：2022-11-22

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林兆军 (教授)