Study of electrical transport properties of GaN-based side-gate heterostructure transistors
发布时间：2022-12-13
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- 所属单位：
- 微电子学院
- 发表刊物：
- Applied Physics Letters
- 第一作者：
- 周衡
- 论文编号：
- F21FE017C09E49068D2EF4356497F757
- 期号：
- 21
- 字数：
- 3
- 是否译文：
- 否
- 发表时间：
- 2022-11-22