Study of electrical transport properties of GaN-based side-gate heterostructure transistors
发布时间：2022-12-13
点击次数：
- 所属单位：
- 集成电路学院
- 论文名称：
- Study of electrical transport properties of GaN-based side-gate heterostructure transistors
- 发表刊物：
- APPLIED PHYSICS LETTERS
- 第一作者：
- 周衡
- 论文编号：
- F21FE017C09E49068D2EF4356497F757
- 期号：
- 21
- 字数：
- 3
- 是否译文：
- 否
- 发表时间：
- 2022-11
- 发布时间：
- 2022-12-13