教师个人主页
登录
首页
返回
English
教师个人主页
登录
首页
返回
English
专利
返回中文主页
一种具有辅助栅结构的AlGaN/GaN开口栅异质结场效应晶体管及应用
发布时间：2021-10-01
点击次数：
所属单位：
微电子学院
专利类型：
发明
发明人数：
12628
是否职务专利：
否
申请日期：
2021-07-26
上一条：
提高InAlN/GaN高电子迁移率晶体管电学性能的方法
下一条：
可装配二维微等离子体阵列装置及其制备方法
教师个人主页