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提高InAlN/GaN高电子迁移率晶体管电学性能的方法

发布时间：2024-05-18
点击次数：
所属单位：
新一代半导体材料研究院
专利类型：
发明
申请号：
202111558290.8
发明人数：
4
是否职务专利：
否
申请日期：
2021-12-20
公开日期：
2024-02-02
授权日期：
2024-02-02

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