一种沿[101]晶向生长的金红石结构钽掺杂氧化锡单晶薄膜及其制备方法
点击次数:
所属单位:微电子学院
申请专利人:马瑾,栾彩娜
专利类型:发明
申请号:201810456700X
发明人数:2
是否职务专利:否
申请日期:2018-05-14
申请日期:2018-05-14
一种沿[101]晶向生长的金红石结构钽掺杂氧化锡单晶薄膜及其制备方法
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所属单位:微电子学院
申请专利人:马瑾,栾彩娜
专利类型:发明
申请号:201810456700X
发明人数:2
是否职务专利:否
申请日期:2018-05-14
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