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穆文祥
副教授
所属院部：
新一代半导体材料集成攻关大平台
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High-Performance Ga2O3 Diode Based on Tin Oxide Schottky Contact
发布时间：2019-10-24
所属单位：
集成电路学院
论文名称：
High-Performance Ga2O3 Diode Based on Tin Oxide Schottky Contact
发表刊物：
IEEE Electron Device Letters
第一作者：
杜路路
全部作者：
辛公明,贾志泰,陶绪堂,宋爱民,辛倩,徐明升,穆文祥,王鑫煜
论文编号：
95E46522A7424B49812ABB6DBA13307C
卷号：
40
期号：
3
页面范围：
451
是否译文：
否
发表时间：
2019-03
发布时间：
2019-10-24
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Solid–liquid interface optimization and properties of ultra-wide bandgap β-Ga2O3 grown by Czochralski and EFG methods
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Highly Narrow-Band Polarization-Sensitive Solar-Blind Photodetectors Based on beta-Ga2O3 Single Crystals
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