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穆文祥
副教授
所属院部:
新一代半导体材料集成攻关大平台
访问次数:
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论文成果
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Solid–liquid interface optimization and properties of ultra-wide bandgap β-Ga2O3 grown by Czochralski and EFG methods
所属单位:
晶体材料研究所
发表刊物:
CrystEngComm1
全部作者:
贾志泰,尹延如,张健,陶绪堂
第一作者:
穆文祥
论文类型:
基础研究
论文编号:
11509E6C035E4EA3BA9AC6793B18888E
页面范围:
2762
是否译文:
否
发表时间:
2019-03-20
上一条:
A review of β-Ga2O3 single crystal defects, their effects on device performance and their formation mechanism
下一条:
Investigation of Y2.1Er0.9(ScxGa1-x)(5)O-12 Matrix Components on the Spectral Properties around 3.0 mu m by Micro-Pulling-Down Method
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