登录
|
山东大学
|
English
穆文祥
副教授
所属院部：
新一代半导体材料集成攻关大平台
访问次数：
次
论文成果
返回中文主页
Achieving high performance Ga2O3 diodes by adjusting chemical composition of tin oxide Schottky electrode
所属单位：
微电子学院
发表刊物：
Semiconductor Science and Technology
全部作者：
辛倩,陶绪堂,宋爱民,徐明升,穆文祥,贾志泰,王鑫煜,辛公明
第一作者：
辛倩
论文类型：
基础研究
论文编号：
343681EE28154666B317A53CC22C80CE
期号：
34
是否译文：
否
发表时间：
2019-06-06
上一条：
Crystal growth, thermal and optical properties of TSLAG magneto-optical crystals
下一条：
A review of β-Ga2O3 single crystal defects, their effects on device performance and their formation mechanism
版权所有 ©山东大学 地址：中国山东省济南市山大南路27号 邮编：250100
查号台：（86）-0531-88395114
值班电话：（86）-0531-88364731 建设维护：山东大学信息化工作办公室
回到顶部
