穆文祥
副教授
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Achieving high performance Ga2O3 diodes by adjusting chemical composition of tin oxide Schottky electrode
发布时间：2019-10-25
  • 所属单位：
    集成电路学院
  • 论文名称：
    Achieving high performance Ga2O3 diodes by adjusting chemical composition of tin oxide Schottky electrode
  • 发表刊物：
    Semiconductor Science and Technology
  • 第一作者：
    辛倩
  • 全部作者：
    陶绪堂,宋爱民,徐明升,穆文祥,贾志泰,王鑫煜,辛公明,辛倩
  • 论文编号：
    343681EE28154666B317A53CC22C80CE
  • 期号：
    34
  • 字数：
    4500
  • 是否译文：
    否
  • 发表时间：
    2019-06
  • 发布时间：
    2019-10-25
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