穆文祥

副教授

A review of β-Ga2O3 single crystal defects, their effects on device performance and their formation mechanism

发布时间：2019-10-25

• 所属单位：
  晶体材料研究院（晶体材料全国重点实验室）
• 论文名称：
  A review of β-Ga2O3 single crystal defects, their effects on device performance and their formation mechanism
• 发表刊物：
  Journal of Semiconductors
• 第一作者：
  付博
• 全部作者：
  穆文祥,尹延如,张健,陶绪堂,贾志泰
• 论文编号：
  8731C0AB390E416686F784839D156A8B
• 字数：
  4000
• 是否译文：
  否
• 发表时间：
  2019-04
• 发布时间：
  2019-10-25