登录
|
山东大学
|
English
穆文祥
副教授
所属院部:
新一代半导体材料集成攻关大平台
访问次数:
次
论文成果
返回中文主页
Anisotropy and in-plane polarization of low-symmetrical beta-Ga2O3 single crystal in the deep ultraviolet band
所属单位:
晶体材料研究院
发表刊物:
Applied Surface Science
第一作者:
穆文祥
论文编号:
0A668061A54F40FB9CC1037C6BBF79D6
卷号:
527
字数:
3000
是否译文:
否
发表时间:
2020-10-15
上一条:
Controllable and directional growth of Er:Lu2O3 single crystals by the edge-defined film-fed technique
下一条:
Broadband near-infrared Cr3+:β-Ga2O3 fluorescent single crystal grown by the EFG method
版权所有 ©山东大学 地址:中国山东省济南市山大南路27号 邮编:250100
查号台:(86)-0531-88395114
值班电话:(86)-0531-88364731 建设维护:山东大学信息化工作办公室
回到顶部