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穆文祥
副教授
所属院部：
新一代半导体材料集成攻关大平台
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论文成果
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Controllable and directional growth of Er:Lu2O3 single crystals by the edge-defined film-fed technique
所属单位：
晶体材料研究院
发表刊物：
CrystEngComm
第一作者：
尹延如
论文编号：
C67140358D024DE28FA9C184E4C8FA70
期号：
39
字数：
3
是否译文：
否
发表时间：
2020-10-21
上一条：
Broadband near-infrared Cr3+:β-Ga2O3fluorescent single crystal grown by the EFG method
下一条：
Anisotropy and in-plane polarization of low-symmetrical beta-Ga2O3 single crystal in the deep ultraviolet band
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