穆文祥
副教授
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论文成果
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Enhancement-Mode Ga2O3 FET With High Mobility Using p-Type SnO Heterojunction
  • 所属单位：
    集成电路学院
  • 发表刊物：
    IEEE Electron Device Letters
  • 第一作者：
    王珣珣
  • 论文编号：
    94A89A91EBFE4CEA8315878F2988EA0A
  • 卷号：
    43
  • 期号：
    1
  • 页面范围：
    44
  • 字数：
    4500
  • 是否译文：
    否
  • 发表时间：
    2022-01-01
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