登录
|
山东大学
|
English
穆文祥
副教授
所属院部：
新一代半导体材料集成攻关大平台
访问次数：
次
论文成果
返回中文主页
Investigation on β-Ga2O3 (101) plane with high-density surface dangling bonds
所属单位：
晶体材料研究院
发表刊物：
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS
关键字：
(101) plane;Barrier height;Etching rate;Surface dangling bond;β-Ga2O3
第一作者：
Fu, Bo
论文编号：
1478207549684584449
卷号：
889
字数：
4000
是否译文：
否
发表时间：
2022-01-05
上一条：
A High Responsivity and Photosensitivity Self-Powered UV Photodetector Constructed by the CuZnS/Ga2O3 Heterojunction
下一条：
Squeeze-Printing Ultrathin 2D Gallium Oxide out of Liquid Metal for Forming-Free Neuromorphic Memristor
版权所有 ©山东大学 地址：中国山东省济南市山大南路27号 邮编：250100
查号台：（86）-0531-88395114
值班电话：（86）-0531-88364731 建设维护：山东大学信息化工作办公室
回到顶部
