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穆文祥
副教授
所属院部：
新一代半导体材料集成攻关大平台
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论文成果
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Enhancement Mode Ga2O3 Field Effect Transistor with Local Thinning Channel Layer
所属单位：
新一代半导体材料研究院
发表刊物：
Crystals
关键字：
Ga2O3;field-effect transistors;enhancement-mode;enhancement？mode;field？effect transistors;Ga2 O3;local thinning
第一作者：
葛磊
论文编号：
1557660919891394562
卷号：
12
期号：
7
字数：
5
是否译文：
否
发表时间：
2022-07-01
上一条：
Anisotropic performances and bending stress effects of the flexible solar-blind photodetectors based on β-Ga2O3 (100) surface
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Synthesis, mechanism and characterization of urchin-like Ga2O3 microspheres
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