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穆文祥
副教授
所属院部：
新一代半导体材料集成攻关大平台
访问次数：
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论文成果
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4英寸氧化镓单晶生长与性能
所属单位：
新一代半导体材料研究院
发表刊物：
《人工晶体学报》
第一作者：
穆文祥
论文编号：
1575306206225580033
卷号：
51
期号：
Z1
页面范围：
1-5
是否译文：
否
发表时间：
2022-08-31
上一条：
Pt/ZnGa<sub>2</sub>O<sub>4</sub> Schottky Barrier Diodes Fabricated by Using Single Crystal n-ZnGa<sub>2</sub>O<sub>4</sub> (111) Substrates
下一条：
Growth and characterization of the β-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub> (011) plane without line-shaped defects
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