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穆文祥
副教授
所属院部:
新一代半导体材料集成攻关大平台
访问次数:
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论文成果
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4英寸氧化镓单晶生长与性能
所属单位:
新一代半导体材料研究院
发表刊物:
《人工晶体学报》
第一作者:
穆文祥
论文编号:
1575306206225580033
卷号:
51
期号:
Z1
页面范围:
1-5
是否译文:
否
发表时间:
2022-08-31
上一条:
A High Responsivity and Photosensitivity Self-Powered UV Photodetector Constructed by the CuZnS/Ga2O3 Heterojunction
下一条:
Enhancement Mode Ga2O3 Field Effect Transistor with Local Thinning Channel Layer
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