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穆文祥
副教授
所属院部：
新一代半导体材料集成攻关大平台
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论文成果
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Growth and characterization of the β-Ga2O3 (011) plane without line-shaped defects
所属单位：
新一代半导体材料研究院
发表刊物：
CRYSTENGCOMM
第一作者：
陈伯阳
论文编号：
CBDF2C5247024888BA6BB911AD10A4DB
期号：
25
字数：
5
是否译文：
否
发表时间：
2023-02-28
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Rapid epitaxy of 2-inch and high-quality α-Ga2O3 films by Mist-CVD method
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Toward smart flexible self-powered near-UV photodetector of amorphous Ga2O3 nanosheet
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