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Rapid epitaxy of 2-inch and high-quality α-Ga2O3 films by Mist-CVD method
发表时间：2023-04-03
  • 所属单位：
    新一代半导体材料研究院
  • 发表刊物：
    Journal of Semiconductors
  • 第一作者：
    王晓杰
  • 论文编号：
    131FF0B9E69B46ADB8D020C55131783B
  • 期号：
    44
  • 字数：
    7
  • 是否译文：
    否
  • 发表时间：
    2023-04-03
上一条：
Enhancement-mode Ga2O3 FET with high mobility using p-type SnO heterojunction
下一条：
Growth and characterization of the β-Ga2O3 (011) plane without line-shaped defects