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穆文祥
副教授
所属院部：
新一代半导体材料集成攻关大平台
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论文成果
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Rapid epitaxy of 2-inch and high-quality α-Ga2O3 films by Mist-CVD method
所属单位：
新一代半导体材料研究院
发表刊物：
Journal of Semiconductors
第一作者：
王晓杰
论文编号：
131FF0B9E69B46ADB8D020C55131783B
期号：
44
字数：
7
是否译文：
否
发表时间：
2023-04-03
上一条：
Enhancement-mode Ga2O3 FET with high mobility using p-type SnO heterojunction
下一条：
Growth and characterization of the β-Ga2O3 (011) plane without line-shaped defects
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