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穆文祥
副教授
所属院部：
新一代半导体材料集成攻关大平台
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论文成果
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The anisotropy dependence of deformation mechanism of cleavage planes in β-Ga2O3 single crystal
所属单位：
晶体材料研究院
发表刊物：
Materials Science in Semiconductor Processing
第一作者：
Hou, Tong
论文编号：
1622498312654360577
卷号：
158
字数：
5000
是否译文：
否
发表时间：
2023-05-01
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Squeeze-Printing Ultrathin 2D Gallium Oxide out of Liquid Metal for Forming-Free Neuromorphic Memristor
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Growth and characterization of the β-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub> (011) plane without line-shaped defects
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