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穆文祥
副教授
所属院部：
新一代半导体材料集成攻关大平台
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论文成果
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The anisotropy dependence of deformation mechanism of cleavage planes in β-Ga2O3 single crystal
所属单位：
晶体材料研究院
发表刊物：
Materials Science in Semiconductor Processing
第一作者：
Hou, Tong
论文编号：
1622498312654360577
卷号：
158
字数：
5000
是否译文：
否
发表时间：
2023-05-01
上一条：
Solar-blind photodetectors prepared using semi-insulating Co:beta-Ga2O3 single crystals that are stable over a wide temperature range
下一条：
Rapid epitaxy of 2-inch and high-quality alpha-Ga2O3 films by mist-CVD method
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