穆文祥
副教授
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论文成果
The anisotropy dependence of deformation mechanism of cleavage planes in β-Ga2O3 single crystal
  • 所属单位:
    晶体材料研究院
  • 发表刊物:
    Materials Science in Semiconductor Processing
  • 第一作者:
    Hou, Tong
  • 论文编号:
    1622498312654360577
  • 卷号:
    158
  • 字数:
    5000
  • 是否译文:
  • 发表时间:
    2023-05-01
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