登录
|
山东大学
|
English
穆文祥
副教授
所属院部：
新一代半导体材料集成攻关大平台
访问次数：
次
论文成果
返回中文主页
Growth and characterization of the β-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub> (011) plane without line-shaped defects
所属单位：
晶体材料研究院
发表刊物：
CRYSTENGCOMM
第一作者：
Chen, Boyang
论文编号：
F4E5D751A519435F9C5258F2A44C5903
卷号：
25
期号：
16
页面范围：
2404
字数：
5000
是否译文：
否
发表时间：
2023-04-24
上一条：
4英寸氧化镓单晶生长与性能
下一条：
Enhancing the performance of β-Ga2O3 solar-blind photodetectors based on ZnGa2O4 substrate by bottom-up Zn diffusion doping
版权所有 ©山东大学 地址：中国山东省济南市山大南路27号 邮编：250100
查号台：（86）-0531-88395114
值班电话：（86）-0531-88364731 建设维护：山东大学信息化工作办公室
回到顶部
