穆文祥

副教授

Growth and characterization of a 2-inch (102) plane β-Ga2O3 crystal via the edge-defined film-fed growth method

发布时间：2025-09-13

• 所属单位：
  新一代半导体材料研究院
• 论文名称：
  Growth and characterization of a 2-inch (102) plane β-Ga2O3 crystal via the edge-defined film-fed growth method
• 发表刊物：
  CrystalEngComm
• 第一作者：
  张晋
• 论文编号：
  1915344281486123009
• 字数：
  4000
• 是否译文：
  否
• 发表时间：
  2025-03
• 发布时间：
  2025-09-13