穆文祥

副教授

Suppression of Screw Dislocation-Induced Hillocks in MOCVD-Grown α-Ga2O3 on m-Plane Sapphire by Introducing a High-Temperature Buffer

发布时间：2025-09-13

• 所属单位：
  新一代半导体材料研究院
• 论文名称：
  Suppression of Screw Dislocation-Induced Hillocks in MOCVD-Grown α-Ga2O3 on m-Plane Sapphire by Introducing a High-Temperature Buffer
• 发表刊物：
  CRYSTAL GROWTH & DESIGN
• 第一作者：
  李竹程
• 论文编号：
  1897579751978758146
• 字数：
  4000
• 是否译文：
  否
• 发表时间：
  2025-02
• 发布时间：
  2025-09-13