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穆文祥
副教授
所属院部：
新一代半导体材料集成攻关大平台
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The [010] tilt low angle grain boundaries in bulk β-Ga2O3 crystals grown by EFG method
发布时间：2025-09-13
所属单位：
新一代半导体材料研究院
论文名称：
The [010] tilt low angle grain boundaries in bulk β-Ga2O3 crystals grown by EFG method
发表刊物：
SURFACES AND INTERFACES
第一作者：
王佩
论文编号：
1897579820899561474
卷号：
59
字数：
4000
是否译文：
否
发表时间：
2025-02
发布时间：
2025-09-13
上一条：
Dopant Segregation at the Solid-Liquid Interface in the Single Crystal Growth of β-Ga2O3 by an Edge-Defined Film-Fed Growth Method
下一条：
Suppression of Screw Dislocation-Induced Hillocks in MOCVD-Grown α-Ga2O3 on m-Plane Sapphire by Introducing a High-Temperature Buffer
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