性别:女
在职信息:在职
所在单位:晶体材料研究院
入职时间:2011-08-16
手机版
最后更新时间:..
点击次数:
所属单位:晶体材料研究所
发表刊物:Journal of Materials Science-Materials in Electronics
全部作者:彭燕,陈秀芳,胡小波,徐现刚
第一作者:谢雪健
论文类型:基础研究
论文编号:2C4C074D99BE45BBA331A68E8DF9039A
卷号: 28
期号:13
页面范围:9813
是否译文:否
发表时间:2017-07-01
上一条: 以(1015)面为籽晶的6H -SiC单晶生长与缺陷研究
下一条: Selective-area lateral epitaxial overgrowth of SiC by controlling the supersaturation in sublimation growth