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彭燕
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性别:女
在职信息:在职
所在单位:晶体材料研究院
入职时间:2011-08-16
学术荣誉:
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研究领域
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论文成果
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李华东. Dislocation proliferation at the growth crystal seed interface of physical vapor transport grown 4H-SiC crystals. Physica Script, 2024.
仲光磊. SiC 单晶生长初期表面台阶及微管特性. 硅酸盐学报, 2024.
Ge, Lei. High-Performance Diamond Phototransistor with Gate Controllable Gain and Speed. Journal of Physical Chemistry Letters, 14, 592, 2024.
胡国杰. Improvement of the resistivity uniformity of 8-inch 4H–SiC wafers by optimizing the thermal field. VACUUM, 222, 2024.
胡秀飞. Growth of 2-inch diamond films on 4H–SiC substrate by microwave plasma CVD for enhanced thermal performance. VACUUM, 211, 2024.
熊希希. 低位错密度8英寸导电型碳化硅单晶衬底制备. Journal of Inorganic Materials, 1-2, 2024.
专利
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一种准本征半绝缘碳化硅单晶的制备方法
一种大直径SiC单晶生长装置及生长方法
一种SiC单晶衬底及其制备方法与应用
一种实现金刚石单晶衬底表面取向的方法
一种快速有选择性的降低SiC晶体中微管和位错密度的方法
一种降低物理气相传输法生长SiC单晶中位错密度的方法
著作成果
宽禁带半导体电子材料与器件
三代半导体产业人才发展指南
phosphor Handbook:Fundamentals of Luminescence
科研项目
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HPHT法(111)晶面金刚石单晶衬底及 GaN异质外延研究, 2024/01/01-2026/12/31
高质量低成本8 英寸碳化硅材料与器件应用研究, 2022/11/01-2025/12/31
高校牵头承担“揭榜挂帅”战略科技任务的组织模式与管理机制研究, 2022/11/30-2025/10/31
半绝缘碳化硅单晶专利分析, 2018/11/01-2023/01/10
GFJG-KM20210006, 2020/09/01-2021/02/01
SiC单晶生长和加工技术产业化研究-2, 2011/12/21-2015/12/31
科研团队
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