研究领域
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论文成果 More>>
• 李斌. 单晶金刚石声子非简谐衰减效应研究.  《人工晶体学报》,  52,  442-451, 2025. 
• 陈可睿. Identification and formation mechanism of threading screw dislocations in 4H-SiC crystal.  JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS,  2025. 
• 陈可睿. Identification and formation mechanism of threading screw dislocations in 4H-SiC crystal.  JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS ,  1040,  2025. 
• 焦健. Low On-Resistance and Ultrafast Rise Time Based on Vertical Diamond Photoconductive Switch with NPN Structure.  ACS Photonics,  2025. 
• 陈秋. Effect of nitrogen doping concentration on 4H-SiC laser slicing.  Journal of the American Ceramic Society,  2025. 
• 胡秀飞. Roughness control in the processing of 2-inch polycrystalline diamond films on 4H-SiC wafers.  Materials Science in Semiconductor Processing,  184,  2025. 

专利 More>>
• 一种准本征半绝缘碳化硅单晶的制备方法
• 一种大直径SiC单晶生长装置及生长方法
• 一种SiC单晶衬底及其制备方法与应用
• 一种实现金刚石单晶衬底表面取向的方法
• 一种快速有选择性的降低SiC晶体中微管和位错密度的方法
• 一种降低物理气相传输法生长SiC单晶中位错密度的方法

著作成果 More>>
• 宽禁带半导体电子材料与器件
• 三代半导体产业人才发展指南
• phosphor Handbook：Fundamentals of Luminescence

科研项目 More>>
• GFJG-GF2022氧化镓***合作协议书KM20250113,2022-03-18,2024-12-31
• HPHT法（111）晶面金刚石单晶衬底及 GaN异质外延研究,2024-01-01,2026-12-30
• 高质量低成本8 英寸碳化硅材料与器件应用研究,2022-11-01,2025-12-31
• 高校牵头承担“揭榜挂帅”战略科技任务的组织模式与管理机制研究,2022-11-30,2025-10-31
• 半绝缘碳化硅单晶专利分析,2018-11-01,2023-01-10
• GFJG-KM20210006,2020-09-01,2021-02-01

科研团队
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