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彭燕
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性别:女
在职信息:在职
所在单位:晶体材料研究院(晶体材料全国重点实验室)
入职时间:2011-08-16
所属院系: 晶体材料研究院
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专利
一种准本征半绝缘碳化硅单晶的制备方法
一种大直径SiC单晶生长装置及生长方法
一种SiC单晶衬底及其制备方法与应用
一种实现金刚石单晶衬底表面取向的方法
一种快速有选择性的降低SiC晶体中微管和位错密度的方法
一种降低物理气相传输法生长SiC单晶中位错密度的方法
一种稳定物理气象传输方法生长4H-SiC晶体晶型的方法
一种用于生长接近平衡态SiC单晶的坩埚
一种低氮含量SiC单晶生长装置
一种减少碳化硅单晶中碳包裹体的新型坩埚和单晶生长方法
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