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彭燕
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性别:女
在职信息:在职
所在单位:晶体材料研究院
入职时间:2011-08-16
学术荣誉:
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专利
[1] 一种准本征半绝缘碳化硅单晶的制备方法
[2] 一种大直径SiC单晶生长装置及生长方法
[3] 一种SiC单晶衬底及其制备方法与应用
[4] 一种实现金刚石单晶衬底表面取向的方法
[5] 一种快速有选择性的降低SiC晶体中微管和位错密度的方法
[6] 一种降低物理气相传输法生长SiC单晶中位错密度的方法
[7] 一种稳定物理气象传输方法生长4H-SiC晶体晶型的方法
[8] 一种用于生长接近平衡态SiC单晶的坩埚
[9] 一种低氮含量SiC单晶生长装置
[10] 一种减少碳化硅单晶中碳包裹体的新型坩埚和单晶生长方法
[11] 一种低应力高纯半绝缘SiC单晶的制备方法
[12] 一种半绝缘4H-SiC晶型的鉴别方法
[13] 一种提高4H-SiC单晶晶型稳定性的方法
[14] 一种高均匀性、高产率半绝缘碳化硅衬底的制备方法
[15] 一种N-B双掺SiC衬底的GaN基无荧光粉的高效白光LED结构及其制备方法
[16] 一种N-B双掺SiC衬底的GaN基无荧光粉的高效白光LED结构及其制备方法
[17] 一种大直径尺寸SiC籽晶的制备方法
[18] 一种高均匀性、高产率半绝缘碳化硅衬底的制备方法
共18条 1/1
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