性别:女
在职信息:在职
所在单位:晶体材料研究院
入职时间:2011-08-16
手机版
最后更新时间:..
点击次数:
所属单位:晶体材料研究所
发表刊物:Chin. Phys. B
全部作者:陈秀芳,彭燕,胡小波
第一作者:徐化勇
论文类型:基础研究
论文编号:lw-175597
是否译文:否
发表时间:2015-05-20
上一条: 6H-SiC成核表面形貌与缺陷产生的研究
下一条: 高质量N 型SiC 单晶生长及其器件应用