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彭燕

性别:女

在职信息:在职

所在单位:晶体材料研究院(晶体材料全国重点实验室)

入职时间:2011-08-16

所属院系: 晶体材料研究院

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Characterization of Nitrogen-Boron doped 4H-SiC substrates

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所属单位:晶体材料研究所

发表刊物:International Journal of ELECTROCHEMICAL

第一作者:胡小波

全部作者:徐现刚,彭燕

论文类型:应用研究

论文编号:lw-151719

是否译文:

发表时间:2013-05

发布时间:2019-10-22

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